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*Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductor Nanostructures 2nd Edition [#i74fffcc]
**20120/5/14 1.3.3 → 1.3.5 [#ddca6e7c]
**2012/5/14 1.3.3 → 1.3.5 [#ddca6e7c]
-ストリークカメラの時間分解能は何が決めているのか
-GaAs量子井戸においてsplit-off bandからheavy holeへの緩和の時定数は何が決めているのか。
-Correlation spectroscopyで見えるものは何？
-Correlation spectroscopyにおいて入射パルスの強度比をかえると、いったい何が見えるのか。
-Upconversion法で計測可能な光の強度の下限はどのくらいか？
--100 fs 10mW 100 MHz のパルスに対してBBOを用いたSHGの発生効率が最大で20%であるとする。Detectorは10%の量子効率でsingle photon countingできるとするとき、前述のパルスを用いたupconversion法により測定可能な光の強度はどの程度か。
-光伝導アンテナから出る電磁波の周波数は何が決めるのか。
-光伝導アンテナにおいてアンテナの及ぼす役割。
-光伝導アンテナと自由空間の間のインピーダンスマッチングについて。
-量子井戸の井戸幅とエネルギー準位の関係。
-THz波のアンテナ検出における電流の測定方法。

**2012/5/7 1.1.4 → 1.3.1 [#gffc3a7d]
-フォノン散乱でフォノン数は増減するのか？
-支配的な散乱過程についての相図。
--光学フォノンと音響フォノンの境目である40 Kはどのようにして決まるのか？
-電子がFröhlich相互作用を介してLOフォノンとは結合して、TOフォノンとは結合しない理由。
-piezo interactionが、電子と音響フォノンだけを結合する理由。
-音響フォノン - 電子間相互作用の温度依存性
-量子井戸で、面と垂直方向の phonon couplingが弱くなる理由。
-バンド構造がparabolicになる理由 （revisited）。
-バンドギャップの大きさは何で決まるのか？
-グラフェンはなぜ K点でバンドギャップが開かないのか？
-光学フォノンの放出がフォノン数によらないのは何故か？
-音響フォノンと光学フォノンでdeformation potentialの大きさは異なるのか？
-量子井戸において、拡散の測定から、層方向のDC transportの性質は測れるか？
-OPOとOPAの違い。
-OPAはどのようにamplifyしているのか？
-Dye laserの方が線幅が太いのに、超短パルス発生にTi:sapphireが使われる理由。
-縮退ポンププローブ分光と非縮退ポンププローブ分光の違い。
-Q-value switch laser → dye laserでパルス幅が ns → fsになった心得。
-Solid state laserとは何者？利点は？

**2012/4/23 Introduction → 1.1.3 [#gffc3a7d]
-絶縁体と半導体の違いは何か？
-IV族半導体は間接ギャップを持つが、原理的にこのようになるのか？
-light holeとheavy holeに分かれる理由。
-半導体MQWの層数はどのようにして決まるのか？
-type IIの半導体はどのようにして作られるのか？
-膜厚がde Broglie波長より薄いときに、量子閉じ込め効果が顕在化するのは何故か？
-励起子の重心運動閉じ込めと相対運動閉じ込めの違い。
-単位胞中のphononの個数。
-角運動量をもつphononは存在するのか？
-なぜバンド構造はparabolicなのか？
-分散関係にはどのような意味があるのか？
-バンド上の電子の個数。
-Quater wave plateに光を当てるとwave plateが回転するが、厚さを2倍にしたhalf wave plateだと回転しないのはどのような理由によるものか？